对比图
型号 CSD18536KTT CSD18542KTT CSD19535KTT
描述 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、1.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 17560V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 375 W 250 W 300 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A
上升时间 5 ns 5 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 11430pF @30V(Vds) 5070pF @30V(Vds) 7930pF @50V(Vds)
下降时间 4 ns 21 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 250W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 4.0 mΩ -
阈值电压 - 1.5 V -
漏源击穿电压 - 60 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 9.25 mm -
高度 - 4.7 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Contains Lead
ECCN代码 EAR99 EAR99 -