对比图
型号 FQP70N10 HUF75345P3 HUF75339P3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP70N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 VUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75339P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 57.0 A 75.0 A 75.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 23 mΩ 0.006 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 325 W 200 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 100 V 55 V 55.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 57.0 A 75.0 A 75.0 A
上升时间 470 ns 118 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 3300pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 325 W 200 W
下降时间 160 ns 26 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160 W 325W (Tc) 200W (Tc)
通道数 - 1 -
输入电容 - 4.00 nF 2.00 nF
栅电荷 - 125 nC 60.0 nC
长度 10.1 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.83 mm
高度 9.4 mm 16.3 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99