对比图
描述 TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126ON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3
安装方式 - - Through Hole
频率 - 3 MHz 3 MHz
耗散功率 - 36 W 36 W
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V 40 @500mA, 1V
额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 4.00 A
针脚数 - - 3
极性 - - NPN
增益频宽积 - - 3 MHz
集电极最大允许电流 - - 4A
直流电流增益(hFE) - - 15
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3
长度 - - 7.74 mm
宽度 - - 2.66 mm
高度 - - 11.04 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag Rail, Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99