FDD6N20TF和FDD6N20TM

对比图

型号 FDD6N20TF FDD6N20TM 2SK214

描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) - - 160 V

额定电流 - - 500 mA

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 160 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.5A 500 mA

耗散功率 40W (Tc) 40 W -

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 40 W 40 W -

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.6 Ω -

阈值电压 - 5 V -

上升时间 - 5.6 ns -

下降时间 - 12.8 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -