对比图
型号 CSD19531Q5A CSD19535KCS CSD19531Q5AT
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19535KCSTEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 3 8
封装 VSON-FET-8 TO-220-3 VSON-8
针脚数 8 3 8
漏源极电阻 0.0053 Ω 0.0031 Ω 0.0053 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.3 W 300 W 125 W
阈值电压 2.7 V 2.7 V 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 150A 100A
上升时间 5.8 ns 15 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 3870pF @50V(Vds) 6100pF @50V(Vds) 2980pF @50V(Vds)
下降时间 5.2 ns 5 ns 5.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 300W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
额定功率(Max) - 300 W -
封装 VSON-FET-8 TO-220-3 VSON-8
长度 - 10.67 mm 6.1 mm
宽度 - 4.7 mm 5 mm
高度 - 16.51 mm 1.1 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -