对比图
型号 NTF3055-100T1G STN3NF06 NTF3055L108T1G
描述 ON SEMICONDUCTOR NTF3055-100T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STN3NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 VN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 3.00 A 4.00 A 3.00 A
针脚数 4 4 4
漏源极电阻 0.088 Ω 0.07 Ω 0.12 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.1 W 3.3 W 2.1 W
阈值电压 3 V 3 V 1.68 V
输入电容 455 pF 315 pF 313pF @25V
栅电荷 22.0 nC 10.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 68 V 60.0 V 68 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A, 3.00 mA 4.00 A 3.00 A
上升时间 14 ns 18 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 455pF @25V(Vds) 315pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 3.3 W 1.3 W
下降时间 13 ns 6 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 3.3W (Tc) 1.3W (Ta)
通道数 - - 1
长度 6.7 mm - 6.5 mm
宽度 3.7 mm - 3.5 mm
高度 1.65 mm - 1.57 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99