BSP205和ZVN4206GVTA

对比图

型号 BSP205 ZVN4206GVTA BSP206

描述 P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 1.00 A -

漏源极电阻 - 1 Ω -

极性 - N-Channel P-CH

耗散功率 - 2 W -

阈值电压 - 1.3 V -

输入电容 - 20.0 pF -

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 1.00 A 0.35A

上升时间 - 12 ns -

输入电容(Ciss) - 100pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -