对比图
型号 BCR183SE6433BTMA1 UMB11NTN PUMB11,115
描述 SOT-363 PNP 50V 100mAUMB11NTN 编带NXP PUMB11,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6
引脚数 - 6 6
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 20 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 150 mW 300 mW
额定电压(DC) - -50.0 V -
额定电流 - -50.0 mA -
额定功率 - 0.15 W -
耗散功率 - 0.15 W 200 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
增益带宽 - 250 MHz -
耗散功率(Max) - 150 mW -
针脚数 - - 6
直流电流增益(hFE) - - 30
封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6
高度 - - 1 mm
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
香港进出口证 - - NLR