DS1245Y-70和DS1245Y-70IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245Y-70 DS1245Y-70IND DS1245AB-70

描述 1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

负载电容 - 5.00 pF -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 - - 43.69 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -

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