对比图
型号 IRL540NSTRLPBF STB40NF10T4 IRL540NSPBF
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.044Ω; ID 36A; D2Pak; PD 140W; VGS +/-16VSTMICROELECTRONICS STB40NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRL540NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 36A, D2-PAK 新
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 36.0 A 50.0 A 36.0 A
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.063 Ω 0.028 Ω 44 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 150 W 3.8 W
产品系列 IRL540NS - IRL540NS
输入电容 1800pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 50.0 A 36.0 A
上升时间 81.0 ns 63 ns 81.0 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1780pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 150 W 3.8 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 2.8 V 2 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
下降时间 - 28 ns -
耗散功率(Max) - 150W (Tc) -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -