STD10NM65N和STP10NM65N

对比图

型号 STD10NM65N STP10NM65N STU10NM65N

描述 STMICROELECTRONICS  STD10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 VN沟道650 V， 0.43 Ω ， 9的的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 650 V, 0.43 Ω, 9 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.43 Ω 430 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 90 W 90 W 90W (Tc)

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 9A 4.50 A -

上升时间 8 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 90 W -

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)

通道数 1 - -

长度 6.6 mm 10.4 mm -

宽度 6.2 mm 4.6 mm -

高度 2.4 mm 15.75 mm -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -