2N7000BU和2N7000RLRMG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7000BU 2N7000RLRMG 2N7000

描述 2N7000BU 系列 60 V 5 Ohms N 沟道 高级 小信号 Mosfet TO-92小信号N沟道TO-92-3封装场效应管小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 200 mA -

漏源极电阻 5 Ω 5.00 Ω 5 Ω

极性 - N-Channel -

耗散功率 400 mW 350mW (Tc) 350 mW

输入电容 - 60.0 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 60 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 200 mA -

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 400 mW 350 mW 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 350mW (Tc) 400 mW

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

阈值电压 3.9 V - 2.1 V

上升时间 10 ns - -

下降时间 10 ns - -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tape Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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