MMBF4392和MMBF4393LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF4392 MMBF4393LT1G PMBF4392,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4392  晶体管, JFET, JFET, -30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFETON SEMICONDUCTOR  MMBF4393LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFETPMBF4392 系列 对称 硅 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 75.0 mA 50.0 mA -

漏源极电阻 60 Ω 100 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 350 mW 225 mW 250 mW

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 mA 50.0 mA -

击穿电压 30 V 30 V 40 V

输入电容(Ciss) 14pF @20V(Vds) 14pF @15V(Vds) 14pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 250 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

击穿电压 - -30.0 V -

输入电容 - 14 pF -

漏源击穿电压 - 30 V -

栅源击穿电压 - 30 V -

长度 2.92 mm 3.04 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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