对比图
型号 RTF015N03TL RTF025N03TL US5U3TR
描述 内置G -S保护二极管。 Built-in G-S Protection Diode.N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-32.5V驱动MOSFET NchSBD 2.5V Drive NchSBD MOSFET
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 5
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 TUMT-5
针脚数 3 3 5
漏源极电阻 240 mΩ 48 mΩ 0.34 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 800 mW 800 mW 0.7 W
阈值电压 - 1.5 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 1.50 A 2.50 A 1.50 A
上升时间 9 ns 15 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 80pF @10V(Vds) 270pF @10V(Vds) 80pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 700 mW
下降时间 6 ns 11 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 320mW (Ta) 800mW (Ta) 1W (Ta)
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 1.50 A 2.50 A -
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 30 V 30 V -
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 TUMT-5
长度 2 mm 2 mm -
宽度 1.7 mm 1.7 mm -
高度 0.82 mm 0.77 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -