对比图
型号 BQ4016MC-70 DS1265AB-100 DS1265AB-70+
描述 1024Kx8非易失SRAM 1024Kx8 Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 36 36 36
封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)
时钟频率 70.0 GHz 100 GHz 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns 100 ns 70.0 ns
内存容量 8000000 B 8000000 B 1000000 B
存取时间(Max) 70 ns - -
工作温度(Max) 70 ℃ - -
工作温度(Min) 0 ℃ - -
电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V
封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead