对比图
型号 FDB024N06 NVB5860NT4G IRFS7530PBF
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON IRFS7530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0018 Ω 3 mΩ 0.00165 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 395 W 283W (Tc) 375 W
阈值电压 3.5 V - 3.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 220A 295A
输入电容(Ciss) 11190pF @25V(Vds) 10760pF @25V(Vds) 13703pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 395 W 283W (Tc) 375W (Tc)
漏源击穿电压 - 60 V -
上升时间 324 ns 117 ns -
下降时间 250 ns 150 ns -
额定功率(Max) 395 W - -
长度 10.67 mm 10.29 mm 10.54 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 4.69 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 9.65 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99