对比图
型号 SI7860DP-T1-E3 SIR462DP-T1-GE3 IRFH7914TRPBF
描述 VISHAY SI7860DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 3 VVISHAY SIR462DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VINFINEON IRFH7914TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 PowerPAK SO QFN-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 8 mΩ 0.0065 Ω 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.8 W 41.7 W 3.1 W
阈值电压 3 V 3 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 30.0 A 15A
上升时间 - 15 ns 11 ns
输入电容(Ciss) - 1155pF @15V(Vds) 1160pF @15V(Vds)
下降时间 - 10 ns 4.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 4.8 W 3.1W (Ta)
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
额定功率 - - 3.1 W
额定功率(Max) - - 3.1 W
长度 5.99 mm 4.9 mm 6 mm
宽度 - 5.89 mm 5 mm
高度 1.07 mm 1.04 mm 0.83 mm
封装 SOIC-8 PowerPAK SO QFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17