MJE803和MJE803T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE803 MJE803T MJE803G

描述 达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYTO-220 NPN 80V 4AON SEMICONDUCTOR  MJE803G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-225-3 TO-220 TO-126-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

耗散功率 40 W - 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V - 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W - 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

极性 - NPN NPN

集电极最大允许电流 - 4A 4A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 750

耗散功率(Max) - - 40000 mW

长度 7.74 mm - -

宽度 2.66 mm - -

高度 11.04 mm - -

封装 TO-225-3 TO-220 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk - Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台