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MJE803概述

达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA

得捷:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

贸泽:
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar

MJE803中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V

额定功率Max 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MJE803

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY

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