BC857CDW1T1G和BC858CDW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857CDW1T1G BC858CDW1T1G BC857CDW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC857CDW1T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - -

封装 SC-70-6 SOT-363 TSSOP-6

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) -45.0 V -30.0 V -45.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

针脚数 6 - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 380 mW - -

增益频宽积 100 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 30 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 380 mW 380 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) 270 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -50 ℃ - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

耗散功率(Max) 380 mW 380 mW -

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1.1 mm - -

封装 SC-70-6 SOT-363 TSSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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