MJD50T4G和MJD50TF

对比图

型号 MJD50T4G MJD50TF MJD50G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD50T4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 30 hFEON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK (TO-252)封装ON SEMICONDUCTOR  MJD50G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 10 MHz 10 MHz 10 MHz

耗散功率 15 W 1.56 W 1.56 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 1560 mW

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 1.00 A - 1.00 A

针脚数 3 - 4

极性 NPN - NPN

集电极最大允许电流 1A - 1A

直流电流增益(hFE) 30 - 30

增益频宽积 - - 10 MHz

热阻 - - 8.33℃/W (RθJC)

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99