对比图
型号 STD7NM50N STP7NM50N STD8NM50N
描述 N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP7NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 700 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 780 mΩ 700 mΩ 0.73 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 45 W 45 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A -
上升时间 5 ns 5 ns 4.4 ns
输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 400pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 45 W 45 W
下降时间 9 ns 9 ns 8.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 500 V - -
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 6.6 mm - 6.6 mm
宽度 6.2 mm - 6.2 mm
高度 2.4 mm - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC