对比图
型号 FQU17P06TU STD10PF06-1 IRFI9Z34GPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU17P06TU 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 VP沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFETVISHAY IRFI9Z34GPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 140 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-220
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -12.0 A -10.0 A -12.0 A
漏源极电阻 135 mΩ 180 mΩ 0.14 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 44 W 40 W 42 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -60.0 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) -12.0 A 10.0 A -12.0 A
上升时间 100 ns 40 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 2.5 W 40 W -
下降时间 60 ns 10 ns 58 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 40W (Tc) -
电源电压(DC) 37.0V (max) - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
输入电容 690 pF - -
栅电荷 21.0 nC - -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-220
长度 6.8 mm - 10.4 mm
宽度 2.5 mm - -
高度 6.1 mm - 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -