对比图
型号 CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18512Q5B
描述 CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.8 VCSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 VSONP-8 8-VSON-CLIP
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.0028 Ω -
极性 - N-Channel -
耗散功率 3.1 W 96 W 3.1 W
阈值电压 - 1.8 V -
漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V
上升时间 12 ns 12 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 3300pF @20V(Vds) 4280pF @20V(Vds) 5480pF @20V(Vds)
下降时间 4 ns 4 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3100 mW 96W (Tc) 3100 mW
封装 VSONP-8 VSONP-8 8-VSON-CLIP
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 无铅 Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -