FDD6680A和FDD8880

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6680A FDD8880

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6680A  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 56AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 12.5 mΩ 0.007 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 55 W

阈值电压 1.8 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 -60.0 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 58.0 A

上升时间 9 ns 91 ns

输入电容(Ciss) 1425pF @15V(Vds) 1260pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 55 W

下降时间 13 ns 32 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 55W (Tc)

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 58.0 A

通道数 - 1

输入电容 - 1.26 nF

栅电荷 - 23.0 nC

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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