对比图
型号 FDS6990A STS8DNF3LL FDS6990AS
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 VSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 2 - 2
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.011 Ω 0.02 Ω 0.017 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 1.6 W 2 W 2 W
阈值电压 1.9 V 1 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.50 A 8.00 A 7.50 mA
输入电容(Ciss) 1235pF @15V(Vds) 800pF @25V(Vds) 550pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 1.6 W 900 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W 2000 mW 1600 mW
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 7.50 A 8.00 A -
额定功率 2 W - -
输入电容 1.23 nF - -
栅电荷 12.0 nC - -
上升时间 5 ns 32 ns -
下降时间 5 ns 11 ns -
长度 4.9 mm - 5 mm
宽度 3.9 mm - 4 mm
高度 1.57 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99