对比图
型号 IPD135N03L G IPD135N03LGATMA1 SUD50N03-12P-E3
描述 IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON IPD135N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 2.2 VVISHAY SUD50N03-12P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
额定功率 - 31 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0113 Ω 0.0113 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31 W 31 W 46.8 mW
阈值电压 2.2 V 2.2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V -
连续漏极电流(Ids) - 30A 17.5 A
上升时间 3 ns 3 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @15V(Vds) 770pF @15V(Vds) -
下降时间 2.2 ns 2.2 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 31W (Tc) 31000 mW -
额定功率(Max) 31 W - -
长度 6.5 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.41 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15