SPP70N10L和SPW47N60C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPP70N10L SPW47N60C3 RFP30N06LE

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorINFINEON  SPW47N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V30A , 60V , ESD额定, 0.047欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3-1 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 650 V 60.0 V

额定电流 70.0 A 47.0 A 30.0 A

漏源极电阻 - 70 mΩ 47.0 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 250W (Tc) 415 W 96 W

漏源极电压(Vds) 100 V 650 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 70.0 A 47.0 A 30.0 A

上升时间 250 ns 27 ns 88 ns

输入电容(Ciss) 4540pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

下降时间 95 ns 8 ns 40 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 415W (Tc) 96W (Tc)

输入电容 4.54 nF - -

栅电荷 240 nC - -

额定功率(Max) 250 W 415 W -

额定功率 - 415 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

长度 - 15.9 mm 10.67 mm

宽度 - 5.3 mm 4.7 mm

高度 - 20.95 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3-1 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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