IPB016N06L3G和IPB180N06S4-H1

对比图

型号 IPB016N06L3G IPB180N06S4-H1 IPB017N06N3G

描述 60V,180A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IPB180N06S4-H1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V60V,180A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 7 7 7

封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-7

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

上升时间 79 ns 5 ns -

下降时间 38 ns 15 ns -

通道数 - 1 -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.0013 Ω -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 250 W 250 W

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 180A -

输入电容(Ciss) - 16840pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 W -

封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-7

长度 - 10.31 mm -

宽度 - 9.45 mm -

高度 - 4.57 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -