BUK9637-100E和STB35NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9637-100E STB35NF10T4 STB40NF10T4

描述 NXP  BUK9637-100E  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.031 ohm, 5 V, 1.7 VN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 40.0 A 50.0 A

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.031 Ω 0.03 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 96 W 115 W 150 W

阈值电压 1.7 V 3 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 40.0 A 50.0 A

上升时间 - 60 ns 63 ns

输入电容(Ciss) - 1550pF @25V(Vds) 1780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W 150 W

下降时间 - 15 ns 28 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 150W (Tc)

长度 - 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -50℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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