对比图
型号 AON6718 IPB05N03LB STD100N03LT4
描述 DFN N-CH 30V 80AOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorN沟道30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK平面STripFET⑩ MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET⑩ MOSFET
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DFN-8 TO-263-3-2 TO-252-3
引脚数 8 - -
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 80.0 A 80.0 A
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - 94W (Tc) 110W (Tc)
输入电容 - 3.21 nF 2.06 nF
栅电荷 - 25.0 nC 20.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 3719pF @15V(Vds) 3209pF @15V(Vds) 2060pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 83W (Tc) 94W (Tc) 110W (Tc)
上升时间 10.7 ns - 205 ns
下降时间 12.5 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
漏源极电阻 - - 5.50 mΩ
漏源击穿电压 - - 30.0 V
额定功率(Max) - - 110 W
封装 DFN-8 TO-263-3-2 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Bulk Tape Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free