对比图
型号 IRFI640GPBF IRLS640A STF20NF20
描述 功率MOSFET Power MOSFET先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STF20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 200 V 200 V
额定电流 - 9.80 A 18.0 A
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.18 Ω 180 mΩ 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 40 W 30 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 9.80 A 9.80 A 18.0 A
上升时间 51 ns 8 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1705pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
下降时间 36 ns 15 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40 W 40W (Tc) 30W (Tc)
针脚数 3 - 3
阈值电压 4 V - 3 V
额定功率(Max) 40 W - 30 W
输入电容 - - 940 pF
栅电荷 - - 28.0 nC
长度 - 10.36 mm 10.4 mm
宽度 - 4.9 mm 4.6 mm
高度 9.8 mm 15.87 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99