FQB47P06TM-AM002和FQB47P06TM_AM002

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM_AM002 FQB47P06

描述 ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB47P06TM_AM002  晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

极性 - P-Channel P-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - -47.0 A 47A

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -47.0 A -

针脚数 2 2 -

漏源极电阻 0.026 Ω 0.026 Ω -

耗散功率 160 W 160 W -

栅源击穿电压 - ±25.0 V -

上升时间 450 ns 450 ns -

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 3.75 W -

下降时间 195 ns 195 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.75 W 3.75 W -

阈值电压 4 V - -

输入电容 2800 pF - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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