对比图
型号 STB150NF55T4 STP80NF55-06 IRLZ44ZSPBF
描述 STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN沟道 55V 51A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 120 A 80.0 A 51.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 5 mΩ 0.0065 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 80 W
阈值电压 4 V 3 V -
输入电容 4400 pF - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 80.0 A 51.0 A
上升时间 180 ns 155 ns 160 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 80 W
下降时间 80 ns 65 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) -
产品系列 - - IRLZ44ZS
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 9.35 mm 4.6 mm -
高度 4.6 mm 9.15 mm -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -