PUMH11,115和UMH11NTN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMH11,115 UMH11NTN BCR133SE6433BTMA1

描述 NXP  PUMH11,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)SOT-363 NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

额定功率 - 0.15 W -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 150 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 30 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW -

针脚数 6 - -

高度 1 mm 0.9 mm -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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