ICTE8C-E3/51和ICTE8C-E3/73

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE8C-E3/51 ICTE8C-E3/73 ICTE8C-E3/54

描述 Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V Bidirect

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

引脚数 - - 2

击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

耗散功率 1.5 kW - -

钳位电压 11.6 V 11.6 V 11.6 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

工作电压 - 8 V 8 V

测试电流 - - 1 mA

工作结温 - - -55℃ ~ 175℃

长度 9.5 mm - 9.5 mm

高度 5.3 mm - 5.3 mm

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Ammo Pack Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台