对比图
型号 PMBT5551,215 PMBT5551,235 MMBT5551LT3G
描述 NXP PMBT5551,215 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 30 hFETO-236AB NPN 160V 0.3ANPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - - 160 V
额定电流 - - 600 mA
额定功率 - - 225 mW
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 250 mW 0.25 W 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V
集电极最大允许电流 0.3A 0.3A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 250 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 30 - 80
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 225 mW
频率 300 MHz 300 MHz -
针脚数 3 - -
长度 3 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 2.64 mm
高度 1 mm - 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99