IRLR024N和STD12NF06LT4

对比图

型号 IRLR024N STD12NF06LT4 AOD444

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(2+Tab) DPAKSTMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V60V,12A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 17.0 A 12.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 65 mΩ 0.08 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 45 W 30 W 2 W

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 350 pF -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 55.0V (min) 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A 12A

上升时间 74.0 ns 35 ns 3.4 ns

输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds) 540pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 30 W 20 W

下降时间 - 13 ns 2 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 42.8W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)

产品系列 IRLR024N - -

额定功率 - - 20 W

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -