IPB034N06L3GATMA1和IPB037N06N3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB034N06L3GATMA1 IPB037N06N3G IPD048N06L3 G

描述 INFINEON  IPB034N06L3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V60V,90A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IPD048N06L3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0027 Ω - 0.0037 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 167 W - 115 W

阈值电压 1.7 V - 1.7 V

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

上升时间 78 ns 70 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 10000pF @30V(Vds) 8000pF @30V(Vds) 6300pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - - 115 W

下降时间 13 ns 5 ns 12 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167 W 188000 mW 115 W

额定功率 167 W - -

连续漏极电流(Ids) 90A - -

长度 10.31 mm - 6.5 mm

宽度 9.45 mm - 6.22 mm

高度 4.57 mm - 2.3 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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