对比图
型号 IRF530NPBF IRF540NPBF IRF530N,127
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 63 W 130 W 79W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 22 ns 35 ns 36 ns
输入电容(Ciss) 920pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds) 633pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns 35 ns 12 ns
耗散功率(Max) 70W (Tc) 130000 mW 79W (Tc)
额定功率 79 W 140 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.09 Ω 0.044 Ω -
极性 N-CH N-CH -
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 920 pF 1960 pF -
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 17A 33A -
额定功率(Max) 70 W 130 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.54 mm 10.54 mm -
宽度 4.69 mm 4.69 mm -
高度 8.77 mm 8.77 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -