IRGIB10B60KD1P和STGF19NC60HD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGIB10B60KD1P STGF19NC60HD STGF7NC60HD

描述 TO-220AB 整包STMICROELECTRONICS  STGF19NC60HD  单晶体管, IGBT, 16 A, 2.5 V, 35 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚STGF7NC60HD 系列 N 沟道 600 V 6 A 极快 PowerMesh IGBT - TO-220FP

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 16.0 A 9.00 A 6.00 A

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 35 W 25 W

栅电荷 - 53.0 nC -

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 16.0 A -

上升时间 24.0 ns 7.00 ns 8.50 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 79 ns 31 ns 37 ns

额定功率(Max) 44 W 32 W 25 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 32 W 25000 mW

产品系列 IRGIB10B60KD1 - -

额定功率 - - 25 W

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 16.4 mm 9.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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