BUZ11A和IRF9Z34NPBF

对比图

型号 BUZ11A IRF9Z34NPBF IRFZ24N

描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道 55V 17A

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 17.0 A

漏源极电阻 - 0.1 Ω 70.0 mΩ

极性 - P-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 56 W 45.0 W

产品系列 - - IRFZ24N

漏源极电压(Vds) - 55 V 55.0 V

漏源击穿电压 - - 55.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 19A 17.0 A

上升时间 95 ns 55 ns 34 ns

输入电容(Ciss) - 620pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 41 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 68W (Tc) 45000 mW

额定功率 - 68 W -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 620 pF -

额定功率(Max) - 68 W -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 8.77 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -