对比图
型号 FDG6301N_F085 NTJD5121NT1G SI1902DL-T1-E3
描述 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ON SEMICONDUCTOR NTJD5121NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SOT-363 SC-70-6
极性 N-CH Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 0.3 W 266 mW 0.3 W
漏源极电压(Vds) 25 V 60 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 0.22A 330 mA, 295 mA 660 mA
上升时间 4.5 ns 34 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 9.5pF @10V(Vds) 26pF @20V(Vds) -
额定功率(Max) 300 mW 250 mW 270 mW
下降时间 3.2 ns 32 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 266 mW 300 mW
针脚数 - 6 6
漏源极电阻 - 1 Ω 0.32 Ω
阈值电压 - 1.7 V 1.5 V
正向电压(Max) - 1.2 V -
漏源击穿电压 - - 20.0 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
长度 2 mm 2.2 mm -
宽度 1.25 mm 1.35 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 SC-70-6 SOT-363 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -