对比图
型号 SI4423DY-T1-E3 SI4477DY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4423DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -20 V, 0.006 ohm, -4.5 V, -400 mVVISHAY SI4477DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.006 Ω 0.0051 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 3 W
漏源极电压(Vds) -20.0 V -20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) -14.0 A -26.6 A
上升时间 165 ns 42 ns
下降时间 210 ns 42 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1500 mW -
长度 5 mm 4.9 mm
高度 1.55 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - 3.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15