对比图
型号 STB11NM60 STI11NM60ND STD11NM60ND
描述 N沟道650V TJMAX - 0.4OHM - 11A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFETN沟道600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh ™II功率MOSFET I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh? II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 D2PAK TO-262-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH - N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11A - 10A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 450 mΩ
耗散功率 - 90W (Tc) 90 W
漏源击穿电压 - - 600 V
上升时间 - - 7 ns
输入电容(Ciss) - 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - - 90 W
下降时间 - - 9 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 90W (Tc)
封装 D2PAK TO-262-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99