DS1265W-100和DS1265W-100IND

对比图

型号 DS1265W-100 DS1265W-100IND DS1265AB-100+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 -

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 100 GHz 100 GHz -

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 8000000 B 1000000 B -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

长度 53.34 mm 53.34 mm 53.34 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 10.29 mm 10.29 mm 10.29 mm

封装 EDIP-36 EDIP-36 DIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅