对比图
型号 MTD5P06VT4G MTD6N20ET4G IRFR9024NPBF
描述 ON SEMICONDUCTOR MTD5P06VT4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 VON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 VP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -60.0 V 200 V -
额定电流 -5.00 A 6.00 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.34 Ω 0.46 Ω 0.175 Ω
极性 P-Channel N-Channel P-Channel
耗散功率 40 W 50 W 38 W
阈值电压 2.8 V 3 V 4 V
输入电容 510 pF 480 pF 350 pF
栅电荷 20.0 nC 21.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 200 V 55 V
漏源击穿电压 60.0 V 200 V -
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 6.00 A 11A
上升时间 26 ns 29 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 40 W 1.75 W 38 W
下降时间 19 ns 20 ns 37 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 38W (Tc)
额定功率 - - 38 W
反向恢复时间 - - 47 ns
正向电压(Max) - - 1.6 V
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2018/01/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -