FDD6670AS和FDD6670S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6670AS FDD6670S

描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 76.0 A -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 70W (Ta) 70 W

输入电容 1.58 nF -

栅电荷 29.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 76.0 A 64A

上升时间 12.0 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 1580pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.3 W -

耗散功率(Max) 70W (Ta) -

漏源极电阻 - 9.00 mΩ

下降时间 - 14 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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