DS1220AD-200和DS1220AD-200IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AD-200 DS1220AD-200IND DS1220AB-200+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIPIC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 DIP-24 DIP-24 EDIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 200 GHz 200 GHz 200 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

内存容量 2000 B 2000 B 2000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

针脚数 - - 24

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

封装 DIP-24 DIP-24 EDIP-24

长度 - - 34.04 mm

宽度 - - 18.29 mm

高度 - - 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台