IRLR9343PBF和NTD2955T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR9343PBF NTD2955T4G NTD20P06LT4G

描述 P沟道 55V 20AON SEMICONDUCTOR  NTD2955T4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 VON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -55.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -20.0 A -12.0 A -15.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 4 3

漏源极电阻 - 0.155 Ω 0.143 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 79 W 55 W 65 W

阈值电压 - 2.8 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 12.0 A, 12.0 mA 15.5 A

上升时间 24.0 ns 45 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 660pF @50V(Vds) 750pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 55 W 65 W

下降时间 - 48 ns 70 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 55 W 65000 mW

产品系列 IRLR9343 - -

输入电容 - 500 pF -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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